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原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FMMTA56TADiodes Incorporated
  • MMBTA56-7-F
2021-03-15查看资料
FMMTA56TA-79Diodes Incorporated
  • MMBTA56-7-F
2021-03-15查看资料
LA5693MD-AHonsemi
  • TPS7XXX
2020-09-29查看资料
LA5693MC-AHonsemi
  • LA5693MD-AH
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OPA561Texas Instruments
  • OPA564
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SA56004AD,118NXP
  • SA56004ADP,118
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SA56004CD,118NXP
  • SA56004ADP,118
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SA56004CDP,118NXP
  • SA56004ADP,118
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

22 个原型号
原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • 93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • 93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选
  • 93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选
  • 93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选

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  • 93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S-93A56BD0A-T8T2U3

ABLIC

主要参数包括原产国家或地区 日本。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROM
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S-L2980A56MC-TF-G

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最小值） 2 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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S-L2980A56MC-TF-U

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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SMBTA56E6327HTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56LT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56LT3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56WT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SMMBTA56WT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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