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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号

原型号

M4A5-64/32-12VI48

Lattice Semiconductor Corporation

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ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号

原型号

M4A5-64/32-7JNI

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 2 条候选

LC4064V-75TN48ILattice Semiconductor Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S-93A56BD0A-T8T2U3

ABLIC

主要参数包括原产国家或地区日本。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROM

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S-L2980A56MC-TF-G

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最小值） 2 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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S-L2980A56MC-TF-U

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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SMBTA56E6327HTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56LT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56LT3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56WT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56WT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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