MPSA55 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
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MPSA55 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA55-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNA555D
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 1 个定时器，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA555DG4
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 1 个定时器，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA555DR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 1 个定时器，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA555P
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 1 个定时器，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA555PE4
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 1 个定时器，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA555S-13
Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 200 mA、类型 Precision Timer、输出类型 TTL，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsNA556D
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高电平输出电流 200 mA、低电平输出电流 - 200 mA、类型 Standard、内部定时器数 2 个定时器，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Timers & Support Products