IS49NLC36800-25EWBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- MT49H8M36BM-TI:B TRMicron Technology Inc.形状、安装及功能匹配候选
来源:第三方数据源非原厂公告
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Micron Technology Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Nexperia
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934670269118 934670000000。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 64 A,采用 MLPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 41 A,采用 MLPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 34 A,采用 MLPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 20 A,采用 MLPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 82 A,采用 SOT8002-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 51 A,采用 MLPAK33-WF-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 41 A,采用 MLPAK33-WF-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934670295118 934670000000。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNexperia
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934670289118 934670000000。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs