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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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HS1M M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1M-K M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2AA M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2AAHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2BA M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2BAHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2DA M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2DA-T M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2DAHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers