S29GL512S10FHSS40
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash搜索结果
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芯片技术资料
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S29GL512S10FHSS40
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashSISS40DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISS40DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 36.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 21 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSNSS40600CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTSS40L
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40L RW
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 1005 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40L RWG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 1005 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40U
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA、反向电流（Ir） 200 nA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40U RG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 0603 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers