NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 142 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.5 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs搜索结果
原厂资料
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
| 2026-01-06 | 查看资料 |
| AS3D | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS3D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| S3DB | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| S3DBF | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| FDWS9508L-F085 | onsemi |
| 2021-12-21 | 查看资料 |
| FDB9506L-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 135 A，采用 DFN-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMFS3D6N10MCLT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 131 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.6 mOhms，采用 SO-8FL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMYS3D3N06CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1-N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 133 A，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNTMYS3D3N06CLTWG
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1-N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 133 A，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMYS3D5N04CTWG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 102 A，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNTMYS3D5N04CTWG
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 102 A，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMYS3D8N04CLTWG
onsemi
主要参数包括技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 40 V、原产国家或地区 菲律宾，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNVMFS3D0P04M8LT1G
onsemi
主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚，采用 SO-8FL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNVMFS3D6N10MCLT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 132 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.6 mOhms，采用 SO-8FL-4 封装。
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