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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

UPS3100/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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UPS3100E3/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 POWERMITE3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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V62/06643-07XE

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 400 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 551 mV, 2.941 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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WAS310M17BM3

Wolfspeed

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 310 A。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules
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