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原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
LV5725JA-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
LV5725JAZ-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
ADM5170APAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JPAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JP-REELAnalog Devices
  • ADM5170APZ-REEL
2018-02-23查看资料
ECH8620-TL-Eonsemi
  • QS8M51
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FW360-TL-Eonsemi
  • QS8M51
查看资料
PCM1718Texas Instruments
  • PCM1748
  • PCM5100A
查看资料
PCM1728Texas Instruments
  • PCM5101A
  • PCM1748
查看资料
PCM1740Texas Instruments
  • PCM5100A
查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

ADM5170JP

Analog Devices Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AT25BCM512B-MAH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选
  • AT25BCM512C-MAHF-TRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IR4428S

Infineon Technologies

查看详情 · 51 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5111-3MX/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号

LM2577SX-ADJ/S5001804

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM2586SX-5.0/E7001891

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM2587T-ADJ/SL110726

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5158QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM5100BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • LM5100BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5100CSD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • LM5100BSD/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5101ASDX-1/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • UCC27201ADRMRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM5101BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • LM5101BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

678 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LM5101ASDX-1/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101ASDX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101BMA/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101BMAX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101BSD/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101BSDX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101CMA/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101CMAX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101CMY/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LM5101CMYE/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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