IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R220M1H SP001946190。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET搜索结果
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IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R350M1H SP001808378。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 225 A、漏源导通电阻（Rds On） 7 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA120R014M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 127 A、漏源导通电阻（Rds On） 14 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA120R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 98 A、漏源导通电阻（Rds On） 19 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA120R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 55 A、漏源导通电阻（Rds On） 39 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 59 A、漏源导通电阻（Rds On） 34 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 53 A、漏源导通电阻（Rds On） 42 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 50 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 39 A、漏源导通电阻（Rds On） 64 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
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