SBC856BDW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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SBC856BDW1T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC856BLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSBC856BLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSBC856BLT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSBC856BLT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSBC856BWT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC856BWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。
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