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原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BC847BLP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
BC847BV-13Diodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
BC847BV-7Diodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
BC847BVC-7-FDiodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
DN0150ALP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150ALP4-7BDiodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150BLP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150BLP4-7BDiodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

153 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SBC847BDW1T3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BDW1T3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BLT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BLT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V, - 0.65 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDW1T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDW1T3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDW1T3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDXV6T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V, 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） -5 V, 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SBC847BPDXV6T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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