BC847BT TR
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC847BT PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC847BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BVC-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847CM3T5G | onsemi |
| 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BC847BT TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BT-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-523-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BT-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BTQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BTT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BTT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BU3HZGT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BU3T106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT