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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FDMA6676PZ	onsemi	NTLJS14D0P03P8ZTAG	2021-10-01	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

35 个原型号

原型号

93AA66AX-I/SN

Microchip Technology

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93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA66BX-I/SN

Microchip Technology

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93AA66BXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C66AT-I/MC

Microchip Technology

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93AA66AT-I/MCMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66AT-I/MS

Microchip Technology

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93AA66AT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66BT-I/MNY

Microchip Technology

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93AA66BT-I/MNYMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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93AA66CT-I/MCMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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93AA66CT-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

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BR93A66RFJ-WME2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

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93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

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93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

151 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SMA66

MACOM

RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.8dB Gain 23.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SMA66-1

MACOM

RF Amplifier 10-1000MHz NF 3.0dB Gain 27.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SMA66-3

MACOM

RF Amplifier 10-1000MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SMRA66

MACOM

主要参数包括原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SQJA66EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 3 mOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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STA660

STMicroelectronics

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、接口类型 I2S, SPI, UART、类型 Decoder、最小工作温度 - 40 C、认证等级 AEC-Q100，采用 TFBGA-289 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

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STA660TR

STMicroelectronics

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、接口类型 I2S, SPI, UART、类型 Decoder、最小工作温度 - 40 C、认证等级 AEC-Q100，采用 TFBGA-289 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver

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TPS7A6601QDGNRQ1

Texas Instruments

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电压范围 1.5～5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Adjustable、类型 High Voltage Ultralow Quiescent Current，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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TPS7A6633QDGNRQ1

Texas Instruments

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Fixed、类型 Low Dropout Voltage Regulator、输出数 1 Output，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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TPS7A6650HQDGNRQ1

Texas Instruments

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 Low Dropout Voltage Regulator、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、压差 130 mV、认证等级 AEC-Q100，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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