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原厂资料

15 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
7132SA35CRenesas
  • 7132SA55L48B
2023-12-05查看资料
7140LA55CBRenesas
  • 7140LA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA100CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA55CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA70CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7142LA55CRenesas
  • 7142LA55L48B
2022-02-28查看资料
7142LA55CBRenesas
  • 7142LA55L48B
2022-02-28查看资料
7142SA55CRenesas
  • 7142SA55L48B
2022-02-28查看资料
7142SA55CBRenesas
  • 7142SA55L48B
2022-02-28查看资料
ATA5577M133SC-DDBMicrochip
  • ATA5577M1330C-DDB
2021-10-07查看资料
FSA551UCXonsemi
  • FSA553UCX
2021-10-01查看资料
NE5534ADR2Gonsemi
  • SA5534ADR2G
2021-07-07查看资料
NE5534DR2Gonsemi
  • SA5534ADR2G
2021-07-07查看资料
BCW89onsemi
  • MMBTA55LT1G
2019-07-16查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

34 个原型号
原型号

7130LA55C

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA55J8/2930

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA55JG8/2930Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA20JG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71321SA55JG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71321LA55TFG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选
  • 71321LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71321SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7132SA55C

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7132LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7133SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71342SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

341 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMBTA55-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBTA55-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBTA55LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBTA55LT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBTA55Q-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMSTA55-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA55

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA55 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA55 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA55 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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