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来源：第三方数据源非原厂公告

5 个原型号
原型号

IS49NLC36800-25EWBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 6 条候选
  • MT49H8M36BM-TI:B TRMicron Technology Inc.形状、安装及功能匹配候选
原型号

MT49H8M36BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

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  • IS49NLC36800-25EWBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

MT49H8M36BM-33 IT:B

Micron Technology Inc.

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  • IS49NLC36800-25WBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

MT49H8M36BM-TI:B TR

Micron Technology Inc.

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  • IS49NLC36800-25EWBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

MT49H8M36SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

查看详情 · 1 条候选

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  • IS49NLC36800-25WBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

R8002ANJFRGTL

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.3 Ω，采用 TO-263S-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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R8002ANJGTL

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.3 Ω，采用 TO-263S-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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R8002ANX

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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R8002CND3FRATL

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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R8002KND3TL1

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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R8002KNXC7G

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-220FM-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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TPL8002-25PWR

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Digital Potentiometer ICs
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TS81000-2P800209QFNR

Semtech

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 6.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 High Efficiency Receiver Controller、产品 Receiver、输入电压范围 2.95～5.5 V、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Wireless Charging ICs
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ZL38002QDG1

Microchip / Microsemi

该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、频率 20 MHz、产品 Echo Cancellers，采用 TQFP-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Communication ICs - Various
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ZL38002QDG1

Microchip Technology

该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、频率 20 MHz、产品 Echo Cancellers，采用 TQFP-48 封装。

半导体 > Communication & Networking ICs > Communication ICs - Various
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