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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号

原型号

IM2G04D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近

原型号

IM2G08D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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IM2G04D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近

原型号

UPD70F3380M2GJA-GAE-AX

Renesas Electronics Corporation

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UPD70F3380ZM2GJA-GAE-AXRenesas Electronics Corporation参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,757 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ES1LJHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2AA M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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ES2AAHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2BA M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2BAHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2CA M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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ES2CAHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2DA-T M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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ES2DAHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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ES2FA M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。

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