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来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM2G04D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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  • IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

IM2G08D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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  • IM2G04D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

UPD70F3380M2GJA-GAE-AX

Renesas Electronics Corporation

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  • UPD70F3380ZM2GJA-GAE-AXRenesas Electronics Corporation参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,757 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ES1J M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1J-T M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1JHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1JL M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1JLHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1LD M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1LDHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1LG M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1LGHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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ES1LJ M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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