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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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BZD27C36PHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C39P M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C39PHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C56P M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 60 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C56PHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.12 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 60 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C82P M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C91P M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 90.5 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD27C91PHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 90.5 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesES1A M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1AHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
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