IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 132.5 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 147 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 14.7 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 14.7 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 162 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 350 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 20 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 20 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 22.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 36 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
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