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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM2G04D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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  • IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

IM2G08D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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  • IM2G04D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

UPD70F3380M2GJA-GAE-AX

Renesas Electronics Corporation

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  • UPD70F3380ZM2GJA-GAE-AXRenesas Electronics Corporation参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,757 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BZD27C12PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C130P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 132.5 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C150P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 147 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C15P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 14.7 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C15PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 14.7 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C160P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 162 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 350 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C20P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 20 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C20PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 20 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C22P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 22.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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BZD27C36P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 36 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.11 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

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