IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12 V、耗散功率(Pd) 0.8 W、电压温度系数 0.05 %/C to 0.1 %/C、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 100 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 200 Ω,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 100 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 200 Ω,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 110 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 250 Ω,采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 120 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 120 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。
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