ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM2G04D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

查看详情 · 1 条候选
  • IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

IM2G08D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

查看详情 · 1 条候选
  • IM2G04D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

UPD70F3380M2GJA-GAE-AX

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • UPD70F3380ZM2GJA-GAE-AXRenesas Electronics Corporation参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,757 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BYG21MHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

BYG23M M2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

BYG23MHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

BZD17C12PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12 V、耗散功率(Pd) 0.8 W、电压温度系数 0.05 %/C to 0.1 %/C、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C100P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 100 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 200 Ω,采用 DO-219AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C100PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 100 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 6 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 200 Ω,采用 DO-219AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C110P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 110 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 250 Ω,采用 SOD-123W-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C120P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 120 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C120PHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 120 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.13 %/C、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 300 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZD27C12P M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12.05 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-219AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料