IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1.5 W、稳压管电流 8 mA、稳压管阻抗(Zz) 7000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 200 V、耗散功率(Pd) 1.5 W、稳压管电流 7 mA、稳压管阻抗(Zz) 8000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 200 V、耗散功率(Pd) 1.5 W、稳压管电流 7 mA、稳压管阻抗(Zz) 8000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 30 A,采用 SMA-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 30 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 400 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 30 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 400 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 30 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.4 V、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 30 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1000 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMA-2 封装。
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