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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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1SMA5950HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 110 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 13 mA、稳压管阻抗（Zz） 4000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5951 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 4500 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5951HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 4500 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5952 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 130 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 11 mA、稳压管阻抗（Zz） 5000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5952HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 130 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 11 mA、稳压管阻抗（Zz） 5000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5953 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 150 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 6000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5953HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 150 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 6000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5954 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 160 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 9 mA、稳压管阻抗（Zz） 6500 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5954HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 160 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 9 mA、稳压管阻抗（Zz） 6500 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5955 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 180 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 8 mA、稳压管阻抗（Zz） 7000 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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