NSV1SS400T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOD-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
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NSV1SS400T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、正向电流（If） 200 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、认证等级 AEC-Q100、配置 Single、组装国家或地区 中国，采用 SOD-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesNSV1SS400T5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingPBSS4021NT,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 165 MHz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021NT-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SOT23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021NX,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 115 MHz、连续集电极电流 7 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021NX-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021NZ,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021NZ-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SC-73-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4021PT,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 8 A、增益带宽积（fT） 155 MHz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT