MCIMX7S3DVK08SD
NXP Semiconductors
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、数据 RAM 容量 32 kB、工作电源电压 0.95～1.25 V、接口类型 CAN, I2C, I2S, UART、存储器类型 DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3、指令类型 Floating Point，采用 BGA-488 封装。
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原厂资料
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
| 2026-01-06 | 查看资料 |
| AS3D | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS3D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| S3DB | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| S3DBF | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| FDWS9508L-F085 | onsemi |
| 2021-12-21 | 查看资料 |
| FDB9506L-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MIMX8US3DVK08SC
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 SOC、内核 ARM Cortex A35、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCMIMX8US3DVP08SC
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 SOC、内核 ARM Cortex A35、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCMURS3D-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.007513 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMURS3DBFL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVS3DB
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNTLJS3D0N02P8ZTAG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 20.2 A，采用 WDFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNTLJS3D0N02P8ZTAG
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 20.2 A，采用 WDFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMFS3D0N08XT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 154 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 83 A，采用 DFN-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs