HS2JAHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
HS2JAHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2JHM4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2JHR4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2JHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2JHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS2JHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersM467S2JHAE
Nuvoton
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 2 x 12 bit、输入／输出数 44 个输入／输出，采用 LQFP-64 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMURS2J-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMURS2JA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 VN、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers