HS1K R3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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HS1K R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1K-K M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1K-K R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1K-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1KFL RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.36 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1KHF2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1KHF2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1KHF3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1KHF3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
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