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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
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STW72N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 66 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTWA45N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSTWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTWA65N65DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTWA72N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、商品名称 MDmesh。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTLC25M2ACD
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 1.4 V、工作电源电压 1.4～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Low Power Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTLC25M2ACP
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 1.4 V、工作电源电压 1.4～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Low Power Amplifier，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTLC27M2ACD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Low Power Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M2ACDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Precision Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M2ACDRG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, 5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers