原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEA128J2CAAR
NXP USA Inc.
- S912XEG128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-TPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DP | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX350AT3C00XPEA0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| MT9V128IA3XTC-TR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DRBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEG128J2CAAR
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选S912XEG128W1MAA
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2MAANXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
- NSEC53T064-ITInsignis Technology Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
- SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STDSwissbit直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1733CT/N1,118
NXP USA Inc.
- TEA1733T/N1,118NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 2 条候选TEA18362LT/1J
NXP USA Inc.
- TEA18362T/1JNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1999TK/1J
NXP USA Inc.
- TEA1999TK/2JNXP USA Inc.直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TEA1999TS/2Z
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 0～21 V、输出电压范围 0～26 V、输出电流 100 mA、类型 Synchronous Rectifier Controller、输入电压范围 0～21 V、输入电流 1.2 mA，采用 HVSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTLV803EA17DPWR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 6 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 1.7 V、监控输入数 1 Input、手动复位 Manual Reset，采用 X2SON-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsTLV803EA18DPWR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 6 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 1.8 V、监控输入数 1 Input、手动复位 Manual Reset，采用 X2SON-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsTLV809EA17DBZR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 6 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Push-Pull、阈值电压 1.7 V、监控输入数 1 Input、手动复位 Manual Reset，采用 SOT-23 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsTMS320VC33PGEA120
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、数据 RAM 容量 136 kB、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、指令类型 Floating Point、产品 DSPs、内核 TMS320，采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCV62/03610-01XE
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、定时器／计数器数 2 个定时器、工作电源电压 1.8 V、输入／输出电压 3.3 V、指令类型 Floating Point、产品 DSPs，采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCVS-HFA70EA120
Vishay Semiconductors
主要参数包括产品 Rectifiers、商品名称 HEXFRED、型号别名 HFA60EA120P，采用 SOT-227 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersVS-U5FH120EA120
Vishay
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1.2 kV、正向电流（If） 60 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.99 V、最大浪涌电流 340 A，采用 SOT-227 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersVS-U5FX120EA120
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Hyper Fast Rectifier、反向电压（Vr） 1.2 kV、正向电流（If） 60 A、配置 Common Cathode，采用 SOT-277-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diode ModulesZSSC3170EA1B
Renesas Electronics
该型号为传感器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 7 V、工作电源电压 5 V, 12 V、输出电流 90 mA、接口类型 1-Wire, I2C, LIN, PWM，采用 Wafer 封装。
半导体 > Interface ICs > Sensor Interface