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原厂资料

27 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BAS40-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-04T-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-04T-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-05-13-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-5-13-F
2023-05-15查看资料
BAS40-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-6-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06T-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-06T-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40BRW-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40BRW-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-06-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-6-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40LP-7-2477Diodes Incorporated
  • BAS40LP-7
2023-05-15查看资料
BAS40TW-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40TW-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-06-7-F
2021-05-24查看资料
BAS40-7-GDiodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2020-11-17查看资料
BAS40SLonsemi
  • BAS40P2T5G
2020-08-12查看资料
BAS40-04-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-04-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40-05-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-05-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40LP-7-79Diodes Incorporated
  • BAS40LP-7
2020-05-28查看资料
BAS40LP-7-GDiodes Incorporated
  • BAS40LP-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-04-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-04-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-05-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-05-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-06-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-06-7-F
2020-05-28查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

210 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BAS40CW_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40C_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40DW-04-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DW-04-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40DW-05-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40DW-05-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。

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BAS40DW-06-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40DW-06-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DY-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934665753115。

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BAS40DYX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934665751115。

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