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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FDMA6676PZonsemi
  • NTLJS14D0P03P8ZTAG
2021-10-01查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

35 个原型号
原型号

93AA66AX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA66BX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66BXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93C66AT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66AT-I/MS

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66BT-I/MNY

Microchip Technology

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  • 93AA66BT-I/MNYMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

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  • BR93A66RFJ-WME2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

151 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

R5F2LA66ADFP#30

Renesas Electronics

该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCU
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R5F2LA66ANFP#30

Renesas Electronics

该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 2 kB、ADC 分辨率 10 位、输入/输出数 56 个输入/输出、ADC 通道数 8 个通道,采用 LQFP-64 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCU
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R8A66597DFP#RB1S

Renesas Electronics

该型号为接口集成电路,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface IC
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S-1142A66I-E6T1U

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 6.6 V、输出电压范围 6.402~6.798 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、类型 High Withstand Voltage, Low Current Consumption Low Dropout CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output,采用 HSOP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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S-93A66BD0A-A8T1U3

ABLIC

主要参数包括原产国家或地区 日本。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROM
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S-93A66BD0A-J8T2U3

ABLIC

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 SPI,采用 SOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROM
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S-93A66BD0A-T8T2U3

ABLIC

主要参数包括原产国家或地区 日本。

半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EEPROM
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SIRA66DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK,采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SIRA66DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK、原产国家或地区 中国、单件重量 0.017870 oz,采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SISA66DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 40 A、漏源导通电阻(Rds On) 1.9 mOhms,采用 PowerPAK-1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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