原型号
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Microchip Technology
- 93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FMMTA56TA | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| FMMTA56TA-79 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| LA5693MD-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LA5693MC-AH | onsemi |
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| OPA561 | Texas Instruments |
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| SA56004AD,118 | NXP |
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| SA56004CD,118 | NXP |
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| SA56004CDP,118 | NXP |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选93AA56AT-I/ST
Microchip Technology
- 93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号
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Microchip Technology
- 93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选93AA56C-I/MS
Microchip Technology
- 93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 7 条候选93C56BT-I/MS
Microchip Technology
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- 93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选93LC56A-I/P
Microchip Technology
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- 93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选93LC56A/ST
Microchip Technology
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- 93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 10 条候选93LC56B/ST
Microchip Technology
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- 93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 5 条候选AT93C56-10SI-2.7
Microchip Technology
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- 93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选AT93C56-10TI-2.7
Microchip Technology
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- 93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PMSTA56,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPMSTA56-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPMSTA56/8X
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPZTA56
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPZTA56
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTR7F701A564AFP-C#BA1
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括数据总线宽度 32 位、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 RH850。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUR7F701A564AFP-C#KA1
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括数据总线宽度 32 位、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 RH850。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUS-814A56AMC-BDUT2G
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 180 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-814A56AUC-BDUT2G
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 180 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-89-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-816A56AMC-BBFT2U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators