M4A5-64/32-12VI48
Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
技术资料参考
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Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A,采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、耗散功率(Pd) 200 mW、增益带宽积(fT) 50 MHz、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 80 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 80 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 4 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.2 V,采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTonsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V,采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTRenesas Electronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括数据总线宽度 32 位、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 RH850。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCURenesas Electronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括数据总线宽度 32 位、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 RH850。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 180 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压(最大值) 10 V,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 180 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压(最大值) 10 V,采用 SOT-89-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括单件重量 0.003951 oz,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators