原型号
查看详情 · 1 条候选82V3202NLG
Renesas Electronics Corporation
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- 8A34002E-000NLGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
17 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 8V89313NLG | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 8V89313NLG8 | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 82V32021NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG/C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3255EDG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255EDG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| NRVBA340T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| OPA345 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Analog Devices Inc.
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CDBA340-G
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 80 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCDBA340-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCDBA340L-G
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.4 V、正向浪涌电流（Ifsm） 80 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCDBA340L-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCDBA340LR-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.45 V、正向浪涌电流（Ifsm） 125 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersIXFA34N65X2
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 105 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 2.7 V，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA34N65X2-TRL
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA34N65X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXTA340N04T4
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 340 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA340N04T4-7
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 340 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET