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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
查看资料
ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
查看资料
OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71421LA25PFGI

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71421LA25PFGI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

71421LA25PFGI8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 71421 IDT71421LA25PFGI8，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

71421LA25PFGI8

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT71421LA25PFGI8 71421，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

7142LA25JGI

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7142LA25JGI8

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、类型 High Speed、存储组织结构 2 k x 8，采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

7143LA25G

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

7143SA25G

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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AM5K2E02ABDA25

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.25 GHz、数据 RAM 容量 2 MB、输入／输出数 32 个输入／输出、定时器／计数器数 12 x 64 bti、工作电源电压 1 V、输入／输出电压 1.35 V, 1.5 V, 1.8 V, 3.3 V，采用 PBGA-1089 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
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AM5K2E04XABDA25

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.25 GHz、数据 RAM 容量 2 MB、输入／输出数 32 个输入／输出、定时器／计数器数 12 x 64 bti、工作电源电压 1 V、输入／输出电压 1.35 V, 1.5 V, 1.8 V, 3.3 V，采用 PBGA-1089 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
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