EFR32ZG28A112F1024GM48-A
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、技术 Si、类型 Sub-GHz、数据 RAM 类型 RAM、程序存储器类型 Flash，采用 QFN-48 封装。
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EFR32ZG28A112F1024GM48-AR
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、技术 Si、类型 Sub-GHz、数据 RAM 类型 RAM、程序存储器类型 Flash，采用 QFN-48 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCEFR32ZG28A112F1024GM68-A
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、技术 Si、类型 Sub-GHz、数据 RAM 类型 RAM、程序存储器类型 Flash，采用 QFN-68 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCEFR32ZG28A112F1024GM68-AR
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、技术 Si、类型 Sub-GHz、数据 RAM 类型 RAM、程序存储器类型 Flash，采用 QFN-68 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCISLA112P50IRZ
Renesas / Intersil
该型号为模数转换器（ADC），主要参数包括通道数 1 个通道、模拟电源电压 1.7～1.9 V、数字电源电压 1.7～1.9 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 SPI、输入类型 Differential，采用 QFN-72 封装。
半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Analog to Digital Converters - ADCNVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 27 A，采用 ATPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETPGA112AIDGSR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.2 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、放大器类型 PGA、输入类型 Rail to Rail，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersPGA112AIDGST
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.2 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、放大器类型 PGA、压摆率（SR） 3 V/us，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersPGA112AIDGSTG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.2 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、放大器类型 PGA、压摆率（SR） 3 V/us，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersSCANSTA112SM
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Multiplexers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、开发套件 SCANSTA112EVK/NOPB、湿敏性 是，采用 nFBGA-100 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers