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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

IS49NLC36800-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 4 条候选
  • MT49H8M36SJ-25:B TRMicron Technology Inc.相似型号
原型号

MT49H8M36BM-33 IT:B

Micron Technology Inc.

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IS49NLC36800-33BLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

141 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MLX80031KLW-CAA-000-RE

Melexis

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5~27 V、电源电压(最大值) 27 V、电源电压(最小值) 5 V、数据速率 20 kb/s、类型 Transceiver,采用 QFN-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LIN Transceivers
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MLX80031KLW-CAA-000-SP

Melexis

主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LIN Transceivers
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MP8003AGQ-P

Monolithic Power Systems (MPS)

该型号为集成电路。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LAN
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MP8003AGQ-Z

Monolithic Power Systems (MPS)

该型号为集成电路。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LAN
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PAM8003DR

Diodes Incorporated

主要参数包括产品 Audio Amplifiers、湿敏性 是,采用 $0.39 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers
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R8003KND3TL1

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 3 A、漏源导通电阻(Rds On) 1.8 Ω,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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R8003KNXC7G

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 3 A,采用 TO-220FM-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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Z53C8003ASG

ZiLOG

该型号为接口集成电路,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > SCSI Interface IC
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Z53C8003VSG

ZiLOG

该型号为接口集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、类型 PCI SCSI Controller、工作电源电流 15 mA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 3.86 mm,采用 PLCC-44 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > SCSI Interface IC
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ZL38003GMG2

Microchip / Microsemi

该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Communication ICs - Various
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