5T9070PAGI
Renesas Electronics Corporation
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- 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
59 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SIHB12N50C-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-7-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| DPS1035FIA-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-08-29 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| DFLS1150-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI/W | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI8 | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| SURS283T3G-VF01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| UDZS11B | Diodes Incorporated |
| 2022-03-31 | 查看资料 |
| 853S111BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 853S111BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| BAS116LT3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| 83940DYILF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYILFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-G | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| 2325090 | Infineon |
| 查看资料 | |
| 8611200975 | Infineon |
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| LE25FU406BMS11-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C353 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C375 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C975 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012C-F9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770013CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770023CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P7700280F0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770032CF0C001 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770048CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV10 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV13 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV20 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV22 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV23 | Infineon |
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来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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STMicroelectronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Taiwan Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电压范围 3.235~3.366 V、输出电流 1 A、输出类型 Adjustable, Fixed、类型 Low Dropout Positive Voltage Regulator、输出数 1 Output,采用 SOT-223 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 Voltage Regulator、输出数 1 Output、极性 Positive,采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电压范围 4.9~5.1 V、输出电流 1 A、输出类型 Adjustable, Fixed、类型 Low Dropout Positive Voltage Regulator、输出数 1 Output,采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 11 V、耗散功率(Pd) 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 1 mA、稳压管阻抗(Zz) 20 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 11 V、耗散功率(Pd) 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 0.09 uA、稳压管阻抗(Zz) 20 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 11 V、耗散功率(Pd) 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 0.09 uA、稳压管阻抗(Zz) 20 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMicrochip / Microsemi
主要参数包括直径 2.16 mm、长度 3.9 mm、产品 Rectifiers、端接方式 Axial。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMicrochip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 50 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 0.975 V、最大浪涌电流 35 A,采用 A-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMicrochip / Microsemi
主要参数包括直径 2.16 mm、长度 3.9 mm、产品 Rectifiers、端接方式 Axial。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMicrochip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 50 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 0.975 V、最大浪涌电流 35 A,采用 A-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers