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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
1SMA5935HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 56 mA、稳压管阻抗（Zz） 700 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5936 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 750 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5936HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 750 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5937 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 45 mA、稳压管阻抗（Zz） 800 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5937HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 45 mA、稳压管阻抗（Zz） 800 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5938 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 42 mA、稳压管阻抗（Zz） 850 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5938HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 42 mA、稳压管阻抗（Zz） 850 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5939 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗（Zz） 900 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5939HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗（Zz） 900 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5940 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 35 mA、稳压管阻抗（Zz） 950 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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