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原厂资料

59 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SIHB12N50C-E3Vishay
  • IRFS11N50APbF
2024-05-02查看资料
BAS116Q-13-F-2462Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-13-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-7-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-7-F
2023-09-12查看资料
DPS1035FIA-13Diodes Incorporated
  • DPS1135FIA-13
2023-08-29查看资料
DFLS1100-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2023-05-15查看资料
DFLS1150-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1150-7
2023-05-15查看资料
8V74S4622NLGIRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI/WRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI8Renesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
SURS283T3G-VF01onsemi
  • NRVUS110VT3G
2022-09-30查看资料
UDZS11BDiodes Incorporated
  • V-UDZS11B-07-LTL
2022-03-31查看资料
853S111BYILFRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
853S111BYILFTRenesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFTRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGIRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGI8Renesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
BAS116LT3Gonsemi
  • BAS116LT1G
2021-07-07查看资料
83940DYILFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYILFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
83940DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530DYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
8530DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
87016AYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
87016AYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
87016AYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
DFLS1100-7-GDiodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2020-05-28查看资料
2325090Infineon
  • S29GL01GS11DHA023
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8611200975Infineon
  • S29GL512S11TFA020
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LE25FU406BMS11-TLM-Honsemi
  • LE25U40CMCS00-AH
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P770011C-F9C353Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C375Infineon
  • S29GL256S11DHV023
查看资料
P770011C-F9C975Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770012C-F9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770012CF9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770013CF9C000Infineon
  • S29GL256S11DHIV23
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P770023CF0C000Infineon
  • S29GL512S11DHI023
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P7700280F0C000Infineon
  • S29GL512S11TFI020
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P770032CF0C001Infineon
  • S70GL02GS11FHI013
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P770048CF0C000Infineon
  • S70GL02GS11FHV023
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S29GL128P11FFIV10Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV13Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV20Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV22Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV23Infineon
  • S29GL128S11FHI
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

25 个原型号
原型号

5T9070PAGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

83940DYLFT

Renesas Electronics Corporation

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  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8530FY-01LFT

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8V74S4622NLGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8P34S1102NLGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A0IDBVTG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A0IDBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A4IDBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A4IDBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1110A5IDBVT

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选
  • ADS1110A0IDBVRTexas Instruments参数相近
原型号

ADS1148IRHBR

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • ADS1148IRHBTTexas Instruments参数相近
原型号

AOZ6184QT

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NS5S1153MUTAGonsemi相似型号
原型号

AS11P2TLRQ

STMicroelectronics

查看详情 · 2 条候选
  • NLASB3157MTR2Gonsemi形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

1,432 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TS110-7UF

STMicroelectronics

主要参数包括单件重量 0.001658 oz。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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TS110-8A1

STMicroelectronics

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 100 uA、通态有效值电流（It RMS） 1.25 A、门极触发电压（Vgt） 800 mV、门极触发电流（Igt） 100 uA、最大维持电流（Ih） 12 mA，采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
查看技术资料

TS110-8A1-AP

STMicroelectronics

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 100 uA、通态有效值电流（It RMS） 1.25 A、门极触发电压（Vgt） 800 mV、门极触发电流（Igt） 100 uA、最大维持电流（Ih） 12 mA，采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
查看技术资料

TS110-8A2

STMicroelectronics

主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
查看技术资料

TS110-8A2-AP

STMicroelectronics

主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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TS110-8UF

STMicroelectronics

主要参数包括单件重量 0.007972 oz，采用 SMBFlat-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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TS1100S_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Bridge、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 730 mV，采用 TDI-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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TS1103-200EG6

Silicon Labs

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 25 V、电源电压（最小值） 2 V、输出电压 0.05 V、放大器类型 Current Sense、输出类型 Voltage，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
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TS1117BCP RO

Taiwan Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电流 1 A、输出类型 Adjustable、类型 Voltage Regulator、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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TS1117BCP ROG

Taiwan Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电流 1 A、输出类型 Adjustable、类型 Low Dropout Positive Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 5 mA，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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