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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
1SMA4754HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 60 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4755 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4755HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4756 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4756HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 47 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4757 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4757HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4758 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 110 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4758HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 110 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4759 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 125 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes