原型号
查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
1SMA4749HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4750 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4750HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4751 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4751HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4752 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4752HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4753 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4753HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4754 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 60 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes