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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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1SMA4744HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4745 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4745HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4746 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4746HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4747 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4747HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4748 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 22 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 23 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4748HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 22 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 23 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA4749 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes