PBSS4041PT-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664874215。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
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芯片技术资料
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PBSS4041PX,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 110 MHz、连续集电极电流 - 5 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041PX-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041PZ,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 110 MHz、连续集电极电流 - 5.7 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041PZ-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664879115。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041SN,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 130 MHz、连续集电极电流 6.7 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041SP,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 110 MHz、连续集电极电流 - 5.9 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4041SPN,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 130 MHz、连续集电极电流 - 5.9 A, 6.7 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPSS40S93F6-AG
Mitsubishi Electric
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesS29GL01GS10DHSS40
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash