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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
2DD2656-7	Diodes Incorporated	DSS4140U-7	2023-02-22	查看资料
DNLS160V-7	Diodes Incorporated	DSS4160V-7	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

NSS40301MZ4T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40301MZ4T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40301MZ4T3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40301MZ4T3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40302PDR2G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOIC-Narrow-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40302PDR2G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40500UW3T2G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.31 V，采用 WDFN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40501UW3T2G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 WDFN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40600CF8T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.18 V，采用 1206A 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSS40601CF8T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 ChipFET-8 封装。

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