SK22AHR2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.001199 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
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芯片技术资料
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SK22AHR3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.001199 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK22AHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.001199 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK23
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 500 mV，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK23-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 500 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、反向电流（Ir） 2 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK23-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 HSMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK230NRP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 3 mA、通态有效值电流（It RMS） 30 A、门极触发电压（Vgt） 750 mV、门极触发电流（Igt） 30 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSK230RTP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 3 mA、通态有效值电流（It RMS） 30 A、门极触发电压（Vgt） 750 mV、门极触发电流（Igt） 30 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSK23A
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、原产国家或地区 中国、单件重量 0.002258 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK23A E2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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