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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MT29F32G08ABEDBM83C3WC1
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashNB3M8302CDG
ON Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.002540 oz。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8302CDG
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8302CDR2G
ON Semiconductor
Clock Buffer 3.3V 200MHZ 1:2 LVCMOS/LV
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8302CDR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8304CDG
ON Semiconductor
Clock Buffer 3.3V 200MHZ 1:4 LVCMOS, L
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8304CDR2G
ON Semiconductor
Clock Buffer 3.3V 200MHZ 1:4 LVCMOS, L
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferNB3M8304CDR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.7 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferPAM8301AAF
Diodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、类型 1-Channel Power Amplifier、产品 Audio Amplifiers，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersPAM8302AADCR
Diodes Incorporated
主要参数包括产品 Audio Amplifiers、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers