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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
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STD13N50DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTD15N50M2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 DPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTP45N40DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTP45N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW37N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW45N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW50N65DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW58N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW58N65DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTW65N65DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET