原型号
查看详情 · 2 条候选621MLF
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- PI6CL10804WEXDiodes Incorporated相似型号
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DIO6833ECL16
DIOO Microcircuits
主要参数包括工作电源电压 3.6～5.5 V、输出电流 2 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Battery Charger、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Power Management ICs > Battery ManagementFM24CL16B-DG
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-DG
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 DFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-DGTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 TDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-DGTR
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 DFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-G
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-G
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-GTR
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 2-Wire、存储组织结构 2 k x 8，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMFM24CL16B-GTR
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.65 V、工作电源电压 3 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > F-RAMMCACL110N08Y-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs