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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HUFA76409D3ST	onsemi	NVD5C688NLT4G	2019-07-24	查看资料
LA76933G7FB-E	onsemi	LA76931J7FB-E		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号

原型号

93AA76T/SN

Microchip Technology

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93AA76/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

CAT93C76VI-GT3

onsemi

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA76CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

原型号

XC6505B761MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6505A761MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6701A762MR-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 1 条候选

XD6216B761MR-QTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

124 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SQJA76EP-T1_BE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 75 A，采用 PowerPAK-SO-8L-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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SQJA76EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 mOhms，采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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SQJA76EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 mOhms，采用 PowerPAK-SO-8-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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TA76L431FT(TE85L,F

Toshiba

主要参数包括输出电压 2.49～19 V、基准类型 Shunt Adjustable Precision References、初始精度 1 %、串联电压基准输入电压（最大值） 20 V、分流电流（最大值） 40 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 UFV-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References

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